• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    在形成有機發光結構之方法中，彼此間隔之複數個第一電極係形成於下基板上。覆蓋第一電極之第一有機層係形成於下基板上。初始像素定義層係形成於第一有機層上。初始像素定義層包含感光性材料，且係選擇性地曝光以使初始像素定義層及位於初始像素定義層下之第一有機層之ㄧ部分分別地轉變為像素定義層與第一有機層圖樣。發射層係形成於由像素定義層所暴露之第一有機層上。第二有機層係形成於發射層上。第二電極係形成於第二有機層上。
    公开号:TW201322442A
    申请号:TW101139383
    申请日:2012-10-24
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Dong-Won Lee；Hyea-Weon Shin
    申请人:Samsung Display Co Ltd；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    形成有機發光結構之方法及製造有機發光顯示裝置之方法
    相關申請案之交互參照
    本申請案參閱且主張稍早於2011年10月28日向韓國智慧財產局所申請之申請案之優先權效益，且其正式序號為10-2011-0111185，並將其併入於此。
    本發明係有關於一種形成有機發光結構之方法及製造有機發光顯示裝置之方法。更特別地，該發明係有關於一種包含像素定義層與有機層之有機發光結構、及製造包含像素定義層與有機層之有機發光顯示裝置之方法。
    有機發光顯示器(OLED)裝置可使用藉由在其有機層中自陽極所提供之電洞及自陰極所提供之電子的結合所產生之光而顯示預期的資訊，例如影像、字母及/或符號。有機發光顯示器裝置可具有許多優點，例如寬廣的視角、高反應速度、輕薄的厚度及低電力耗損，因而使有機發光顯示器裝置可廣泛地應用於各種電性及電子設備上。近來，有機發光顯示器裝置已快速地發展為前景看好的顯示裝置之一。
    至於傳統的製程，包含例如電洞傳輸層、有機發射層、電子傳輸層等之有機層可於每一像素區域被圖樣化。舉例而言，像素定義層(PDL)可形成，且有機層可藉由例如印刷製程或轉印製程而形成於藉由像素定義層所暴露之電極上以及像素定義層之側壁上。
    然而，當彼此具有不同材料及特性之有機層與像素定義層之側壁接觸時，有機層可能無法均勻地形成於像素定義層之側壁上，因而導致例如像素定義層之側壁旁的有機層之厚度偏差。因此，像素定義層之側壁旁可能產生漏電(leakage current)，且各像素區域中之有機發光顯示器裝置之發光特性的分佈可能變的異常。
    本發明提供一種形成能確保改善發光特性之有機發光結構之方法。
    本發明亦提供一種製造包含能確保改善發光特性之有機發光結構的有機發光顯示裝置之方法。
    根據本發明，其係提供一種形成有機發光結構之方法。在該方法中，彼此間隔之複數個第一電極係形成於下基板上。覆蓋第一電極之第一有機層係形成於下基板上。初始像素定義層係形成於第一有機層上。初始像素定義層包含感光性材料。初始像素定義層係選擇性曝光因而使初始像素定義層與初始像素定義層下之第一有機層之一部分分別地轉變為像素定義層與第一有機層圖樣。發射層係形成於藉由像素定義層所暴露之第一有機層上。第二有機層係形成於發射層上。第二電極係形成於第二有機層上。
    在本發明之例示性實施例中，第一有機層除了第一有機層圖樣以外之剩餘部分可定義為第二有機層圖樣。第一有機層圖樣可具有低於第二有機層圖樣之電洞傳輸能力或電洞注入能力。
    在例示性實施例中，初始像素定義層可更包含光起始劑。第一有機層圖樣可藉由自光起始劑產生且擴散至第一有機層之活性物種(active species)所形成。第一有機層圖樣可包含藉由活性物種所交聯或聚合之聚合物。
    在例示性實施例中，像素定義層可包含初始像素定義層之固化或硬化之感光性材料。像素定義層可具有低於初始像素定義層、第一有機層、發射層及第二有機層之表面能量。
    根據例示性實施例，其係提供一種形成有機發光結構之方法。在該方法中，彼此間隔之複數個第一電極係形成於下基板上。覆蓋第一電極之電洞傳輸層係形成於下基板上。初始像素定義層係形成於電洞傳輸層上。初始像素定義層包含感光性材料。初始像素定義層係選擇性地曝光因而使初始像素定義層與於初始像素定義層下之電洞傳輸層之一部分分別地轉變為像素定義層與第一電洞傳輸層圖樣。發射層係形成於藉由像素定義層所暴露之電洞傳輸層上。電子傳輸層係形成於發射層上。第二電極係形成於電子傳輸層上。
    在例示性實施例中，電洞傳輸層除了第一電洞傳輸層圖樣以外之剩餘部分可定義為第二電洞傳輸層圖樣。第一電洞傳輸層圖樣可具有低於第二電洞傳輸層圖樣之電洞傳輸能力與導電性。
    在例示性實施例中，初始像素定義層與電洞傳輸層之至少其中之一可包含光起始劑。電洞傳輸層可包含電洞傳輸材料與感光性單體。第一電洞傳輸層圖樣可包含藉由感光性單體之交聯反應或聚合反應所產生之聚合物。交聯反應或聚合反應可藉由自光起始劑所產生之活性物種而引發。
    在例示性實施例中，電洞注入層可於形成電洞傳輸層之前額外地形成。第一電洞傳輸層圖樣下之電洞注入層之一部分可轉變為第一電洞注入層圖樣。電洞注入層可包含電洞注入材料與感光性單體。第一電洞注入層圖樣可包含藉由感光性單體之交聯反應或聚合反應所產生之聚合物。交聯反應或聚合反應可藉由光起始劑所產生之活性物種而引發。
    在例示性實施例中，電洞注入層除了第一電洞注入層圖樣以外之剩餘部分可定義為第二電洞注入層圖樣。第一電洞注入層圖樣可具有低於第二電洞注入層圖樣之電洞注入能力或導電性。
    在例示性實施例中，電洞注入層可包含電洞注入材料與光起始劑。
    第一電洞注入層圖樣可包含藉由光起始劑所產生之活性物種。
    根據例示性實施例，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法。在該方法中，下結構係形成於下基板上。下結構可包含開關裝置及絕緣層。電性連接至開關裝置之第一電極係形成於下結構上。覆蓋第一電極之第一有機層係形成於下結構上。初始像素定義層係形成於第一有機層上。初始像素定義層包含感光性材料。初始像素定義層係選擇性地曝光因而使初始像素定義層與位於初始像素定義層下之第一有機層之一部分分別地轉變為像素定義層與第一有機層圖樣。發射層係形成於藉由像素定義層所暴露之第一有機層上。第二有機層係形成於發射層上。第二電極係形成於第二有機層上。
    在例示性實施例中，初始像素定義層與第一有機層之至少其中之一包含光起始劑。第一有機層可包含電洞傳輸材料與感光性單體。第一有機層可包含藉由感光性單體之交聯反應或聚合反應所產生之聚合物。交聯反應與聚合反應可藉由光起始劑所產生之活性物種而引發。第一有機層除了第一有機層圖樣以外之剩餘部分可定義為第二有機層圖樣。第一有機層圖樣可具有低於第二有機層圖樣之電洞傳輸能力或導電性。
    在例示性實施例中，第二有機層可包含電子傳輸層。電子傳輸層可形成於發射層與像素定義層之側壁上。然而，電子傳輸層可不形成於像素定義層之頂部表面上。
    在例示性實施例中，第二有機層可包含電子傳輸層。電子傳輸層可覆蓋像素定義層與發射層。在例示性實施例中，開關裝置可包含薄膜電晶體或氧化半導體裝置。
    在例示性實施例中，像素定義層可包含初始像素定義層之固化或硬化之感光性材料。像素定義層可具有低於初始像素定義層、第一有機層、發射層及第二有機層之表面能量。
    根據例示性實施例，包含例如電洞注入層與電洞傳輸層之第一有機層可形成於下基板之整個表面上，且接著像素定義層可形成於第一有機層上。發射層可選擇性地形成於藉由像素定義層所定義之像素區域。據此，因為像素定義層可形成於第一有機層上，故可減少像素定義層旁的漏電或各種發光特性的偏差。此外，曝光製程可選擇性地執行於像素定義層上，因而使像素定義層下之第一有機層的一部分之電洞傳輸或電洞注入能力及導電性可降低。因此，可防止鄰近像素區域之干擾(crosstalk)，且可獲得具有改良的發光特性，例如解析度、對比度等之有機發光顯示器裝置。
    本發明之更完整的理解及許多其伴隨而來之優點將藉由參閱配合附圖之下列詳細說明而顯而易見並變得更好理解，其中相同的參考符號表示相同或相似的構件，其中：第1圖至第3圖、第4A圖、第4B圖、第5A圖、第5B圖、第6圖、第7A圖及第7B圖為繪示根據本發明例示性實施例之形成有機發光結構之方法的剖面圖；以及第8圖至第12圖、第13A圖、第13B圖、第14A圖及第14B圖為繪示根據本發明例示性實施例之製造有機發光顯示器之方法的剖面圖。
    各種例示性實施例將於後文中參閱其中顯示例示性實施例之附圖而更充分地描述。然而，本發明可以各種形式實施且不應認定為此處所設之例示性實施例所限制。再者，此些實施例可被提供因而將使本說明透徹且完整，且將充分地涵蓋本發明之範疇予所屬領域具有通常知識者。在圖式中，層與區域之尺寸與相對的大小可為清晰而誇大。
    將理解的是，當一元件或層被稱為另一元件或層“上(on)”、“連接至(connected to)”或耦接至(coupled to)”另一元件或層時，其可直接地於另一元件或層上、直接地連接至或耦接至另一元件或層，或可存在中介元件或層。相反地，當一元件被稱為直接地於另一元件或層“上(directly on)”、“直接地連接至(directly connected to)”或直接地耦接至(directly coupled to)”另一元件或層時，則不存在中介元件或層。整篇說明書中，相似的參考符號代表相似的元件。如此處所使用的，術語“及/或(and/or)”包含一或多個相關所列項目之任何及所有組合。
    將理解的是，雖然術語第一、第二、第三等可被使用於此以描述多個元件、構件、區域、層及/或部分，此些元件、構件、區域、層及/或部分應不被該些術語所限制。該些術語僅係用於區分一元件、構件、區域、層或部分與另一元件、構件、區域、層或部分。因此，以下所討論之第一元件、構件、區域、層或部分在不脫離本發明之教示下，可被稱為第二元件、構件、區域、層或部分。
    空間相對術語，例如“下(beneath)”、“之下(below)”、“下(lower)”、“之上(above)”、“上(upper)”等，可用於此處以方便描述如圖式中所繪示之一元件或特徵與另一元件或特徵(或其他元件或特徵)之間的關係。將理解的是，除了圖式中所載之方向，空間相對術語係意欲涵蓋裝置在使用或操作時之不同方向。舉例而言，當圖式中的裝置翻轉時，描述為在其他元件或特徵“之下(below)”或“下(beneath)”之元件將被定向為在其他元件或特徵“之上(above)”。因此，例示性術語“之下(below)”可涵蓋上及下的方向。裝置可被另外定向(旋轉90度或其他方向)而使用於此之空間相對術語可據此而解釋。
    使用於此之技術僅係用於描述特定例示性實施例之用途而不意欲限制本發明。如此處所使用的，單數形式一(“a”、“an”及“the”)係意欲包含複數形式，除非另有清楚表示。其將更被理解的是，當使用術語“包含(comprises)”及/或包括“(comprising)”於本說明書忠實，係指定特徵、整數、步驟、操作、元件及/或構件之存在，而並非排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、構件及/或群組之存在。
    例示性實施例係參閱繪示理想的例示性實施例之剖面示意圖(及中間結構)而描述。因此，例如製造技術及/或公差(tolerance)所導致之插圖形狀的誤差係被預期的。因此，例示性實施不應被解釋為繪示於此之特定形狀之區域的限制，但係包含由於例如製造所導致之形狀的偏差。舉例而言，繪示為方形之植入區域將通常可具有圓形或弧形特徵及/或在其邊緣的梯度植入濃度，而不是從植入區至非植入區的二分法變化(binary change)。同樣的，經由植入形成的埋沒區可能造成該埋沒區與植入發生通過的表面間之區域的ㄧ些植入。因此，說明於圖中的區域是本質上地繪示，且它們的形狀並非意指說明裝置之區域的實際形狀，及非意指限制例示性實施例之範疇。
    除非另有定義，此處使用的所有術語(包括技術及科學用語)具有如同本領域所屬技術領域中具有通常知識者的通常理解之相同的意義。可更進一步理解的是，諸如常用的字典中定義的術語，應該解釋為具有與它們在此相關技藝之上下文中的意義之一致的意義，且除非在此有明確界定外，將不被解釋在理想化或過度正式的意義上。
    第1圖至第3圖、第4A圖、第4B圖、第5A圖、第5B圖、第6圖、第7A圖及第7B圖為繪示根據本發明例示性實施例之形成有機發光結構之方法的剖面圖。
    參閱第1圖，複數個第一電極110可形成於基板100上。基板100可包含下結構(圖未示)，例如開關裝置、絕緣層等。覆蓋第一電極110之第一有機層120可形成於基板100上。
    每一個第一電極110可形成於包含下結構之基板100上。每一個第一電極110可作為透明電極或反射電極，其係根據包含有機發光結構之有機發光顯示器的類型，例如頂部發光型或底部發光型。
    當第一電極110作為透明電極時，第一電極110可使用可具有相對大功函數之透明導電材料而形成，舉例而言，銦錫氧化物(ITO)、鋅錫氧化物（ZTO）、銦鋅氧化物（IZO）、氧化鋅（ZnOx）、氧化錫（SnOx）、鎵銦鋅氧化物(GIZO)、鋁摻雜之氧化鋅（AZO）或其類似物。其可單獨或混合使用。
    當第一電極110作為反射電極時，第一電極110可使用例如銀、鋁、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀等金屬、或該些金屬之合金所形成。在一例示性實施例中，第一電極110可具有包含第一層與第二層之複數堆疊結構。第一層可包含例如上述金屬或合金，而第二層可包含例如上述透明導電材料。於此情況中，第一電極可作為半透明電極。在例示性實施例中，第一電極110可作為提供電洞至第一有機層120之陽極。
    第一有機層120可包含電洞傳輸層(HTL)。電洞傳輸層可使用電洞傳輸材料所形成，例如4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺]聯苯(4,4’-bis [N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl, NPB)、N,N’-聯苯-N,N’-雙(3-甲基苯基)-1,1’-聯苯-4,4-二胺(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4-diamine, TPD)、N,N’-二-1-萘基-N,N’-二苯-1,1’-聯苯-4,4’-二胺(N,N’-di-1-naphtyl-N,N'-diphenyl-1,1’ -biphenyl-4,4’-diamine, NPD)、N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole)或該些材料之混合物。電洞傳輸層可藉由真空蒸鍍製程(vacuum evaporation process)、熱蒸鍍製程(thermal evaporation process)、狹縫塗佈製程(slit coating process)、旋轉塗佈製程(spin coating process)、印刷製程(printing process)等而獲得。在例示性實施例中，電洞傳輸層可沉積或塗佈於基板100之整個表面上以覆蓋複數個第一電極110。
    第一有機層120可更包含於電洞傳輸層下之電洞注入層(HIL)。電洞注入層可有利於從第一電極110將電洞注入電洞傳輸層中。電洞注入層可使用電洞注入材料所形成，例如銅酞菁(cupper phthalocyanine, CuPc)、聚(3,4)- 乙烯二氧噻吩(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene, PEDOT)、聚苯胺(polyaniline, PANI)或該些材料之混合物。電洞注入層可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程、印刷製程而獲得。在例示性實施例中，電洞注入層可形成於基板100之整個表面上因而覆蓋複數個第一電極110。
    在例示性實施例中，電洞傳輸層及/或電洞注入層除了分別包含電洞傳輸材料與電洞注入材料之外，可更包含光起始劑。光起始劑可包含感光(photo-sensitive)或光放大(photo-amplifying)材料，其可產生藉由光照射所產生之活性物種，包含酸、鹼、自由基(radical)。光起始劑之範例可包含苯乙酮(acetophenone)衍生物、二苯甲酮(benzophenone)衍生物、三嗪(triazine)衍生物、二咪唑基(biimidazole-based)或肟酯基(oxime ester-based)材料等。其可單獨或混合使用。苯乙酮衍生物之非限制性範例可包含2,2’-二乙氧基苯乙酮(2,2’-diethoxy acetophenone)、2,2’-二丁氧基苯乙酮(2,2’-dibutoxy acetophenone)、對-叔丁基三氯苯乙酮(p-t-butyl trichloro acetophenone)、4-氯苯乙酮(4-chloro acetophenone)等。二苯甲酮衍生物之非限制性範例可包含4,4’-二甲胺基二苯甲酮(4,4'-dimethylamino benzophenone)、4,4’-二氯二苯甲酮(4,4’-dichloro benzophenone)、3,3’-二甲基-2- 甲氧基二苯甲酮(3,3’-dimethyl-2-methoxy benzophenone)、羥基二苯甲酮(hydroxy benzophenone)、, 丙烯酸酯二苯甲酮(acrylated benzophenone)、4-苯基二苯甲酮(4-phenyl benzophenone)等。三嗪衍生物之非限制性範例可包含2,4,6-三氯-s-三嗪(2,4,6-trichloro-s-triazine)、2-苯基-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪(2-phenyl-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)、2-(3’,4’-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪2-(3’,4’-dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine、2-(4’-甲氧基萘)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪(2-(4’-methoxynaphtyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)、2-(對-甲氧基苯)-4,6-雙(三氯甲基)-s-三嗪(2-(p-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine)等。
    在例示性實施例中，電洞傳輸層及/或電洞注入層可更包含感光性單體(photosensitive monomer)。感光性單體可包含可與藉由光起始劑所產生之活性物種交聯及/或聚合之材料。舉例而言，感光性單體可包含負型感光性材料(negative type photosensitive material)。
    感光性單體可包含例如丙烯酸酯類材料(acrylate-based material)、甲基丙烯酸酯類材料(methacrylate-based material)、芳香族烯烴類材料(aromatic olefin-based material)或具有乙烯基(vinyl group)之苯類材料(benzene-based material)。舉例而言，感光性單體包含1,4-丁二醇二丙烯酸脂(1,4-butanediol diacrylate)、1,3-丁二醇二丙烯酸脂(ethylene glycol diacrylate)、1,6-己二醇二丙烯酸脂(1,6-hexanediol diacrylate)、二乙二醇二丙烯酸酯(diethylene glycol diacrylate)、乙二醇二丙烯酸酯(ethylene glycol diacrylate)、三乙二醇二丙烯酸酯(triethylene glycol diacrylate)、聚乙二醇二丙烯酸酯(polyethylene glycol diacrylate)、新戊二醇二丙烯酸酯(neopentyl glycol diacrylate)、丙二醇二丙烯酸酯(propylene glycol diacrylate)、二丙二醇二丙烯酸酯(dipropylene glycol diacrylate)、山梨醇三丙烯酸酯(sorbitol triacrylate)、雙酚A二丙烯酸酯(bisphenol A diacrylate)衍生物、新戊四醇三丙烯酸酯(pentaerythritol triacrylate)、新戊四醇四丙烯酸酯(pentaerythritol tetraacrylate)、季戊四醇二丙烯酸酯(pentaerythritol diacrylate)、二新戊四醇五丙烯酸酯(dipentaerythritol pentaacrylate)、二新戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritol hexaacrylate)、三甲基醇丙烷乙基氧三甲基丙烯酸酯(trimethylolpropane ethoxy triacrylate)或此些材料之甲基丙烯酸酯(methacrylates)。其可單獨或混合使用。
    參閱第2圖，複數個初始像素定義層130可形成於第一有機層120上。有機發光顯示器裝置之像素區域I、II及III可藉由初始像素定義層所定義。有機發光顯示器裝置除了像素區域I、II及III以外之剩餘區域可定義為非像素區域。各像素區域I、II及III可實質地重疊於第一電極110之至少一部分上。暴露像素區域I、II及III中之第一有機層120之部分的開口132亦可藉由初始像素定義層130所定義。
    在例示性實施例中，初始像素定義層130可包含感光性材料，其可藉由熱及/或光而固化或硬化。感光性材料可包含丙烯酸酯基樹脂(acrylate-based resin)、聚丙烯酸酯基樹脂(polyacrylate-based resin)、聚亞醯胺基樹脂(polyimide-based resin)、苯並環丁烯(benzocyclobutene, BCB)等。在一些例示性實施例中，初始像素定義層130可包含具有氟化碳原子(fluorinated carbon atoms)之聚合物，例如氟化聚亞醯胺(fluorinated polyimide)、含氟聚酯(fluorinated polyester)等。在一些例示性實施例中，初始像素定義層130可包含有機矽烷基材料(organosilane-based material)，例如矽氧烷(siloxane)、半矽氧烷(silsesquioxane)等。其可單獨或混合使用。
    在例示性實施例中，初始像素定義層130可藉由噴墨印刷製程(inkjet printing process)、噴嘴印刷製程(nozzle printing process)、平板壓印製程(offset imprinting process)、反向平板壓印製程(reverse offset imprinting process)、例如雷射誘導熱影像(laser induced thermal imaging, LITI)製程之轉印製程而選擇性地形成於第一有機層120之預定區域上。
    在例示性實施例中，噴墨或噴嘴印刷製程可包含可溶性製程(soluble processes)。舉例而言，感光性材料可與適合的溶劑混合，且所產生的混合物可透過噴墨印刷或噴嘴印刷裝置的噴嘴而選擇性地塗佈於第一有機層120之預定區域上。可執行額外的乾燥製程以移除溶劑。
    或者，噴墨或噴嘴印刷可包含不溶性製程(insoluble processes)。舉例而言，感光性材料可與可溶性溶劑混合，且所產生之混合物可導入噴墨印刷或噴嘴印刷裝置之噴嘴中。噴嘴可加熱以使感光性材料可蒸發(vaporized)或昇華(sublimated)。蒸發或昇華之感光性材料可藉由噴嘴而塗佈於第一有機層120之預定區域上。在此情況下，無溶劑之感光性材料可塗佈於第一有機層120上，且因此可不需要額外的乾燥製程。
    在一些例示性實施例中，初始像素定義層130可藉由包含曝光製程的圖樣化製程而形成。舉例而言，感光性成分，包含例如聚丙烯酸酯基樹脂前驅物(polyacrylate-based resin precursor)或聚亞醯胺基樹脂前驅物(polyimide-based resin precursor)之前驅物及溶劑，可沉積或塗佈於第一有機層120上。非像素區域可選擇性地曝光因而引發前驅物之聚合作用，且接著可執行顯影製程(developing process)以形成初始像素定義層130。
    在例示性實施例中，初始像素定義層130可更包含光起始劑。如上所述，光起始劑可包含苯乙酮衍生物、二苯甲酮衍生物、三嗪衍生物、二咪唑基或肟酯基材料等。其可單獨或混合使用。
    參閱第3圖，選擇性曝光製程可執行於初始像素定義層130。因此，初始像素定義層130可固化或硬化以轉變為像素定義層135。
    在例示性實施例中，遮罩10可設置於初始像素定義層130以及第一有機層120上。遮罩10可包含透明區域12與阻隔區域14。遮罩10之透明區域12可實質上重疊於非像素區域中之初始像素定義層130上，且遮罩10之阻隔區域14可實質上重疊於每一個像素區域I、II及III中第一有機層120之部分上。
    初始像素定義層130可使用位於遮罩10上之光源(圖未示)而選擇性地曝光。在例示性實施例中，光源可包含紫外線光源，例如準分子光源(excimer source)、氟化氪(KrF)光源、氟化氬(ArF)光源等，或雷射光源。
    藉由選擇性地曝光製程所獲得之像素定義層135 (顯示於第4A圖)可具有實質上低於初始像素定義層130、發射層140、及第二有機層155 (見第7B圖)之表面能量。在例示性實施例中，像素定義層135可具有小於約50 dyne/cm2之相對小的表面能量，較佳地小於約20 dyne/cm2。
    參閱第4A圖，第一有機層120可藉由上述選擇性曝光製程而區分為第一有機層圖樣122及第二有機層124。透過遮罩10之透明區域12(第3圖)而照射之紫外線或雷射光可使初始像素定義層130轉變為像素定義層135，且另外地將像素定義層135下之第一有機層120之一部分轉變為第一有機層圖樣122(第4A圖)。第一有機層圖樣122以外之剩餘部分可定義為第二有機層圖樣124。
    如第4A圖所繪示，重疊於像素定義層135之第一有機層120之一部分可完全地轉變為第一有機層圖樣122因而接觸第一電極110。然而，參閱第4B圖，重疊於像素定義層135之第一有機層120之部分可部份地轉變為像素定義層135下之第一有機層圖樣122a。第一有機層圖樣122a可形成於第一電極110上，且第一有機層122之剩餘部分可定義為第二有機層圖樣124a。
    在例示性實施例中，第一有機層圖樣122與122a可具有與第二有機層圖樣124與124a不同之表面特性及/或化學特性。於像素定義層135下之第一有機層120之部分可藉由透過第3圖之遮罩10之透明區域12所照射之光而化學性修飾。舉例而言，包含於第一有機電洞傳輸材料或電洞注入材料之分子結構或鍵結特性可改變或修飾。因此，第一有機層圖樣122與122a可具有降低的電洞傳輸或電洞注入特性。第一有機層圖樣122與122a亦可具有小於第二有機層圖樣124與124a之導電性。因此，可防止自像素區域I、II及III之電荷的側向擴散(lateral diffusion)，且電洞移動或轉移的區域可精確地侷限或限制。其結果是，有機發光結構可具有改善的解析度與對比度。
    如第5A圖所繪示，第一有機層120可包含依序堆疊於基板100與第一電極110上之電洞注入層(HIL) 125與電洞傳輸層(HTL) 127。
    在例示性實施例中，像素定義層135可由包含上述感光性材料與光起始劑之初始像素定義層130而轉變而來，且電洞傳輸層127可包含上述電洞傳輸材料與感光性單體。在此情況下，在選擇性曝光製程中藉由初始像素定義層130之光起始劑所產生的活性物種可擴散至初始像素定義層130下之電洞傳輸層127之一部分中。因此，電洞傳輸層127之感光性單體可交聯或聚合以形成像素定義層135下之電洞傳輸層圖樣127a。電洞傳輸層127除了第一電洞傳輸層圖樣127a以外之剩餘部分可定義為第二電洞傳輸層圖樣127b。第一電洞傳輸層圖樣127a可包含藉由感光性單體所產生之聚合物。因此，第一電洞傳輸層圖樣127a可具有低於第二傳輸層圖樣127b之電洞傳輸特性或導電性。
    在例示性實施例中，第一電洞傳輸層圖樣127a與第二電洞傳輸層圖樣127b可分別地實質上重疊於非像素區域與像素區域I、II及III。第一電洞傳輸層圖樣127a可部份地重疊第一電極110。
    在一些例示性實施例中，電洞傳輸層127除了電洞傳輸材料與感光性單體之外可更包含光起始劑。在此情況下，例如自由基之活性物種可在選擇性曝光製程中藉由電洞傳輸層127之光起始劑而產生，因而誘發感光性單體之交聯及/或聚合反應。當電洞傳輸層127包含光起始劑時，初始像素定義層130可不包含光起始劑。
    參閱第5B圖，電洞注入層125除了電洞注入材料以外亦可包含上述感光性單體。在此情況下，藉由初始像素定義層130及/或電洞傳輸層127之光起始劑所產生之活性物種可擴散至電洞注入層125，因而引發電洞注入層125之感光性單體之交聯及/或聚合反應。因此，第一電洞傳輸層圖樣127a下之電洞注入層125之一部分可轉變為第一電洞注入層圖樣125a。電洞注入層125除了第一電洞注入層圖樣125a以外之剩餘部分可定義為第二電洞注入層圖樣125b。第一電洞注入層圖樣125a可包含藉由感光性單體所產生之聚合物，且因此第一電洞注入層圖樣125a可具有低於第二電洞注入層圖樣125b之電洞注入能力與導電性。
    在例示性實施例中，第一電洞注入層圖樣125a與第二電洞注入層圖樣125b可分別地實質上重疊於非像素區域與像素區域I、II及III。第一電洞注入層圖樣125a可部份地重疊於第一電極110。
    在一些例示性實施例中，電洞注入層125除了電洞注入材料與感光性單體之外可更包含光起始劑。在此情況下，例如自由基之活性物種可在選擇性曝光製程中藉由電洞注入層125之光起始劑而產生，因而誘發感光性單體之交聯及/或聚合反應。當電洞注入層125包含光起始劑時，電洞傳輸層127可不包含光起始劑。
    後文中，接續的製程將參閱繪示於第6圖之產物結構而描述。
    參閱第6圖，發射層(EML) 140可形成於藉由像素定義層135所定義之各像素區域I、II及III。發射層140可部份地填充開口132。在例示性實施例中，發射層140可形成於像素定義層135之側壁上以及第一有機層120之第二有機層圖樣124上。在一些例示性實施例中，第一有機層圖樣122可藉由像素定義層135部份地暴露。在此情況下，發射層140可形成於像素定義層135之側壁上、及第二有機層圖樣124與被暴露之第一有機層圖樣122上。
    在例示性實施例中，像素區域I、II及III可分別地對應至紅色(R)、綠色(G)及藍色像素區域。在此情況下，發射層140可包含紅色發射層140R、綠色發射層140G與藍色發射層140B。發射層140可使用用於產生紅色光、綠色光或藍色光之適當的發光材料而形成，其係對應於發射層140之發光機制，例如螢光機制或磷光機制。在一些例示性實施例中，發射層140可使用用於產生白色光之發光材料的混合物而形成。發光材料可作為發射層140之摻雜材料，且發射層140可更包含具有相對大能隙帶(band gap)之主體材料。發射層140可藉由包含噴墨、旋轉或噴嘴印刷之印刷製程、藉由熱或雷射以使用施體基板之轉印製程等製程所形成。
    根據例示性實施例，像素定義層135可包含藉由選擇性曝光製程而固化或硬化因而具有相對低表面能量之感光性材料。再者，包含第5A圖與第5B圖之電洞傳輸層127及/或電洞注入層125之第一有機層120可在像素定義層135形成於第6圖之第一有機層120上之前形成。因此，僅有發射層140可接觸像素定義層135之側壁。因此，當複數層形成於像素定義層135上時，可防止或減少像素定義層135之側壁旁所發生的發光特性的偏差或不規則。再者，具有相對低導電性及/或電洞傳輸或電洞注入能力之第一有機層圖樣122可形成於像素定義層下。因此，可有效地阻絕鄰近像素區域之間、或像素區域與非像素區域之間之干擾(crosstalk)。
    參閱第7A圖，第二有機層150可形成於像素定義層135與發射層140上。第二電極160可形成於第二有機層150上。
    第二有機層150可實質地填充第5B圖之開口132，且可完整地沉積或塗佈於基板100上。第二有機層150可藉由真空蒸鍍製程、熱蒸鍍製程、狹縫塗佈製程、旋轉塗佈製程、印刷製程等而獲得。
    第二有機層150可包含電子傳輸層(ETL)。電子傳輸層可使用三(8-羥基喹啉)鋁(III) (tris(8-quinolinolato)aluminum (III), Alq3)、2-（4-聯苯基）-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(2-(4-biphenylyl)-5-4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole, PBD)、雙（2-甲基-8-羥基喹啉）-4-苯基苯酚-鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)-4-phenylphenolato-aluminum, BAlq)、鄰菲羅啉(bathocuproine, BCP)等。其可單獨或混合使用。
    第二有機層150可更包含位於電子傳輸層上之電子注入層(EIL)。電子注入層可使用鹼金屬、鹼土金屬、該些金屬之氟化物、該些金屬之氧化物等而形成。其可單獨或混合使用。
    第二電極160可根據其類型，例如透明電極或反射電極，而使用透明導電材料或金屬形成。透明導電材料可包含銦錫氧化物、鋅錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、氧化錫、鎵銦鋅氧化物、鋁摻雜之氧化鋅或其類似物。金屬可包含例如銀、鋁、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀等、或此些材料之合金。第二電極160可使用濺鍍製程、化汽相沉積(chemical vapor deposition, CVD)製程、原子層沉積製程(atomic layer deposition, ALD)、真空沉積製程、印刷製程等而形成。在一實施例中，第二電極160可具有包含第一層及第二層之複數堆疊結構。第一層可包含，例如上述金屬或合金，而第二層可包含，例如上述透明導電材料。第二電極160可做為提供電子至第二有機層150之陰極。
    如第7B圖所示，第二有機層155可選擇性地形成於各個像素區域I、II及III中。舉例而言，第二有機層155可僅形成於發射層140與像素定義層135之側壁上。在此情況下，第二有機層155可藉由包含噴墨、旋轉或噴嘴印刷之印刷製程、藉由熱或雷射以使用施體基板之轉印製程而獲得。第二電極160可形成於像素定義層135與第二有機層155上。
    第8圖至第12圖、第13A圖、第13B圖、第14A圖及第14B圖為繪示根據本發明例示性實施例之製造有機發光顯示器之方法的剖面圖。在例示性實施例中，有機發光顯示器裝置可包含下結構、有機發光結構與上結構。
    第8圖與第9圖為繪示形成有機發光顯示器裝置之下結構之方法的剖面圖。舉例而言，下結構可包含開關裝置，其可具有薄膜電晶體(TFT)。
    參閱第8圖，半導體圖樣220、閘極絕緣層230與閘極電極240可形成於下基板200上。
    在例示性實施例中，緩衝層210可形成於下基板200上。下基板200可包含透明絕緣基板，例如玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、透明塑膠基板等。緩衝層210可避免雜質的擴散且可平坦化下基板200之上表面。緩衝層200可使用矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物等所形成。緩衝層210可藉由化學汽相沉積製程、電漿輔助化學汽相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)製程、高密度電漿化學汽相沉積(high density plasma- chemical vapor deposition, HDP-CVD)製程、旋轉塗佈製程等而獲得。或者，緩衝層210可藉由於下基板200上執行熱氧化製程而形成。在一些例示性實施例中，緩衝層210可不形成於下基板200上。
    包含半導體圖樣220、閘極絕緣層230及閘極電極240之開關裝置可形成於緩衝層210上。在例示性實施例中，初始半導體圖樣(圖未示)可形成於緩衝層210上，且覆蓋初始半導體圖樣之閘極絕緣層230可形成於緩衝層210上。初始半導體圖樣可藉由使用濺鍍製程、化學汽相沉積製程、電漿輔助化學汽相沉積製程、低壓化學汽相沉積(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)製程、真空沉積製程等使用多晶矽或非晶矽而獲得。包含例如退火製程或雷射處理之結晶製程可執行於初始半導體圖樣上。在一例示性實施例中，熱處理可更執行於初始半導體圖樣上以移除其上所形成之氫。
    閘極絕緣層230可使用例如矽氧化物或金屬氧化物而形成。閘極絕緣層230可藉由化學汽相沉積製程、電漿輔助化學汽相沉積製程、濺鍍製程、真空沉積製程等而獲得。閘極絕緣層230可具有包含矽氧化物及/或金屬氧化物之單層結構或多層結構。
    閘極電極240可形成於閘極絕緣層230。閘極電極240可使用例如金屬、金屬氮化物、導電性金屬氧化物、透明導電材料而形成。舉例而言，第一導電層(圖未示)可藉由濺鍍製程、化學汽相沉積製程、原子層沉積製程、脈衝雷射沉積(pulse laser deposition, PLD)製程或印刷製程而形成於閘極絕緣層230上，且接著第一導電層可藉由例如蝕刻製程而圖樣化以獲得閘極電極240。可延伸於閘極絕緣層230上且電性連接閘極電極240之閘極線(圖未示)可與閘極電極240共同形成。
    雜質可使用閘極電極240作為離子植入遮罩而植入於初始半導體圖樣中。據此，源極區211與汲極區215可形成於初始半導體圖樣之兩側部分以獲得半導體圖樣220。源極區211與汲極區215之間之半導體圖樣220部分可定義為通道區213。通道區213可實質地重疊於形成在閘極絕緣層230上之閘極電極240。
    更參閱第8圖，覆蓋閘極電極240之第一絕緣中介層250可形成於閘極絕緣層230上。第一絕緣中介層250可使用例如矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物或透明絕緣材料而形成。第一絕緣中介層250可藉由化學汽相沉積製程、電漿輔助化學汽相沉積製程、高密度電漿化學汽相沉積製程、旋轉塗佈製程等而獲得。
    參閱第9圖，分別地電性連接源極區211與汲極區215之源極電極241與汲極電極245可形成。覆蓋源極電極241與汲極電極245之第二絕緣中介層260可形成於第一絕緣中介層250。
    在例示性實施例中，第一絕緣中介層250與閘極絕緣層230可部份地移除以形成開口或孔洞，其各自可暴露源極區211與汲極區215。充分地填充開口或孔洞之第二導電層可形成於第一絕緣中介層250、源極區211與汲極區215上。第二導電層可使用光起始劑圖樣或遮罩圖樣而圖樣化以形成分別電性連接源極區211與汲極區215之源極電極241與汲極電極245。第二導電層可使用鉻、鋁、鉭、鉬、鈦、鎢、銅、銀、釹等獲此些金屬之合金所形成。第二導電層可藉由濺鍍製程、化學汽相沉積製程、原子層沉積製程、真空沉積製程、印刷製程等而形成。在例示性實施例中，源極電極240可電性連接至有機發光顯示器裝置之資料線(圖未示)，且接著汲極電極245可電性連接至第一電極110(見第10圖)。
    第二絕緣中介層260可使用透明絕緣材料，例如丙烯酸基樹脂(acryl-based resin)、聚亞醯胺基樹脂(polyimide-based resin)、矽氧烷基樹脂(siloxane-based resin)、苯並環丁烯(BCB)而形成。第二絕緣中介層260可藉由旋轉塗佈製程、狹縫塗佈製程等而獲得。在例示性實施例中，第二絕緣中介層260可使用具有自平坦化(self-planarizing)特性之材料而形成。在一例示性實施例中，包含化學機械拋光(chemical mechanical polishing, CMP)及/或回蝕(etch-back)製程之平坦化製程可執行於第二絕緣中介層260上以使得第二絕緣中介層260具有實質上水平的表面。
    藉由執行上述製程，可獲得包含下基板200與開關裝置之下結構。如上所述，開關裝置可包含具有半導體圖樣220、閘極絕緣層230、閘極電極240、源極電極241與汲極電極245之薄膜電晶體。薄膜電晶體可根據植入初始半導體圖樣中之雜質類型而為P型或N型金屬氧化半導體(metal oxide semiconductor, MOS)電晶體。在一些例示性實施例中，開關裝置可包含氧化半導體裝置。舉例而言，閘極電極與閘極絕緣層可形成於下基板200上，且主動層可使用半導體氧化物而形成於閘極絕緣層上。
    後文中，將描述如第9圖所繪示之在包含薄膜電晶體之開關裝置形成於下基板200上之情況下的接續製程。
    第10圖至第12圖、第13A圖、第13B圖、第14A圖及第14B圖為繪示形成有機發光結構於藉由參閱第8圖與第9圖之製程所獲得之下結構上之方法。
    在例示性實施例中，有機發光結構可藉由與參閱第1圖至第3圖、第4A圖、第4B圖、第5A圖、第5B圖、第6圖、第7A圖及第7B圖所繪示之製程相同或相似之製程而形成於下結構上。因此，相同的參考符號表示相同的元件且其描述將省略。
    參閱第10圖，電性連接至汲極電極245之第一電極110可形成於第二絕緣中介層260。在例示性實施例中，第二絕緣中介層260可部份地移除以形成暴露汲極電極245之至少一部分之接觸孔(圖未示)。充分地填充接觸孔之第三導電層(圖未示)可形成於第二絕緣中介層260與汲極電極245上。第三導電層可圖樣化以形成第一電極110。第三導電層可使用包含銦錫氧化物、鋅錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、氧化錫、鎵銦鋅氧化物、鋁摻雜之氧化鋅或其類似物之透明導電材料、或包含例如銀、鋁、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦、鈀等、或此些材料之合金之金屬。第三導電層可藉由濺鍍製程、化學汽相沉積製程、原子層沉積製程、真空沉積製程、印刷製程等而獲得。第一電極110可作為提供電洞之陽極。在一例示性實施例中，第一電極110可具有包含透明導電材料與金屬層之多層結構。
    參閱第11圖，覆蓋第一電極110之第一有機層120可形成於第二絕緣中介層260上。第一有機層120可藉由旋轉塗佈製程、輥鍍(roll coating)製程、真空蒸鍍製程、或熱蒸鍍製程而沉積或塗佈於第二絕緣中介層260之整個表面上。
    在例示性實施例中，第一有機層120可包含電洞傳輸層127。第一有機層120可更包含位於電洞傳輸層127下之電洞注入層125。後文中，將描述在包含電洞注入層125與電洞傳輸層127之第一有機層120依序堆疊於第二絕緣中介層260上之情況下之接續的製程。
    電洞注入層125可使用上述電洞注入材料而形成。在一些例示性實施例中，電洞注入層125可使用電洞注入材料、上述光起始劑及/或上述感光性單體之混合物而形成。
    電洞傳輸層127可使用上述電洞傳輸材料而形成。在一些例示性實施例中，電洞傳輸層127可使用電洞傳輸材料、光起始劑及/或感光性單體之混合物而形成。
    參閱第12圖，實質上相同或相似於參閱第2圖所繪示之製程可執行以形成初始像素定義層130於電洞傳輸層127上。在例示性實施例中，初始像素定義層130可實質上重疊於第一電極110之兩側部分上。如上所述，初始像素定義層130可使用感光性材料或感光性材料之前驅物而形成。在一些例示性實施例中，初始像素定義層130可使用感光性材料及光起始劑之混合物而形成。部份地暴露電洞傳輸層127之開口132可藉由初始像素定義層130而定義。
    參閱第13A圖，實質上相同或相似於參閱第3圖所繪示之製程可執行以從初始像素定義層130形成像素定義層135。在例示性實施例中，選擇性的曝光製程可執行於初始像素定義層130上以形成包含硬化或固化之感光性材料的像素定義層135。藉由選擇性的曝光製程，像素定義層135可具有低於初始像素定義層130、發射層140、及第二有機層155(見第14B圖)之表面能量。在例示性實施例中，像素定義層135可具有低於約50 dyne/cm2之相對小的表面能量，較佳地小於約20 dyne/cm2。
    在初始像素定義層130包含光起始劑之情況下，藉由初始像素定義層130所產生之包含例如自由基之活性物種可擴散至電洞傳輸層127。因此，像素定義層135下之電洞傳輸層127的一部分可藉由活性物種而轉變為具有降低的電洞傳輸能力之第一電洞傳輸層圖樣127a。當電洞傳輸層127包含感光性單體時，第一電洞傳輸層圖樣127a可包含藉由感光性單體之交聯或聚合反應所產生之聚合物，且因此第一電洞傳輸層圖樣127a可具有降低的導電性。電洞傳輸層127除了第一電洞傳輸層圖樣127a以外之剩餘部分可定義為第二電洞傳輸層圖樣127b。在例示性實施例中，第二電洞傳輸層圖樣127b可具有實質上大於第一電洞傳輸層圖樣127a之電洞傳輸能力及/或導電性。
    在電洞傳輸層127包含光起始劑之情況下，活性物種可藉由電洞傳輸層127而產生以形成位於像素定義層135下之第一電洞傳輸層圖樣127a，即使初始像素定義層130不包含光起始劑。
    參閱第13B圖，藉由初始像素定義層130及/或電洞傳輸層127所產生之活性物種可更擴散至電洞注入層125。因此，第一電洞傳輸層圖樣127a下之電洞注入層125可轉變為第一電洞注入層圖樣125a。電洞注入層125除了第一電洞注入層圖樣125a以外之剩餘部分可定義為第二電洞注入層圖樣125b。當電洞注入層125包含感光性單體時，第一電洞注入層圖樣125a可包含藉由感光性單體之交聯或聚合反應所產生之聚合物，且因此第一電洞注入層圖樣125a可具有降低的導電性。在例示性實施例中，第一電洞注入層圖樣125a可具有實質上低於第二電洞注入層圖樣125b之電洞注入能力及/或導電性。
    在電洞注入層125包含光起始劑之情況下，即使初始像素定義層130及/或電洞傳輸層127不包含光起始劑，活性物種可藉由電洞注入層125而產生因而形成第一電洞傳輸層圖樣127a下之第一電洞注入層圖樣125a。
    後文中，將描述在第一電洞傳輸層圖樣127a與第一電洞注入層圖樣125a皆形成之情況下之接續製程。
    參閱第14A圖，實質上相同或相似於參閱第7A圖所繪示之製程可執行以形成發射層140於像素定義層135之側壁上以及藉由開口132所暴露之第二電洞傳輸層圖樣127b上。
    第二有機層150可形成於發射層140與像素定義層135上。第二電極160可形成於第二有機層150上。在例示性實施例中，發射層140可部份地填充開口132。第二有機層150可填充開口132之剩餘部分，且可完全地塗佈或沉積於下基板200上。第二有機層150可包含電子傳輸層或可更包含電子注入層於電子傳輸層上。
    在一些例示性實施例中，第一電洞傳輸層圖樣127a可藉由開口132而部份地暴露。在此情況下，發射層140可形成於第二電洞傳輸層圖樣127b以及暴露的第一電洞傳輸層圖樣127a上。第二電極160可做為提供電子的陰極。
    參閱第14B圖，第二有機層155可不形成於像素定義層135之頂部表面上。舉例而言，第二有機層155可選擇性地形成於開口132之內部。在此情況下，第二有機層155與發射層140可為像素定義層135所侷限或限制。第二電極160可形成於像素定義層135與第二有機層155上。
    藉由執行上述製程，可獲得形成於下結構上並包含第一電極110、第一有機層120、像素定義層135、發射層140、第二有機層150及第二電極160之有機發光結構。
    包含例如保護層(圖未示)及上基板(圖未示)之上結構可形成於有機發光結構上以獲得根據例示性實施例之有機發光顯示器裝置。保護層可使用透明絕緣材料而形成，而上基板可包含透明絕緣基板。
    以上為例示性實施例的說明，而不被解釋為對其之限制。雖然一些例示性實施例已被描述，本領域技術人士可輕易理解的是在未脫離本說明書之教示與例示性實施例之優勢下，例示性實施例中的許多修改都是可能的。據此，未脫離本發明之精神的所有等校修改均應包含於後附之申請專利範圍中。於申請專利範圍中，手段功能用語係意欲以詳述所達到的功能來涵蓋此文所敘述的結構，其不僅是結構的同等物，並且是相同的結構。因此，可理解的是前述為各種例示性實施例之說明，而並不解釋為對所揭露之具體例示性實施例的限制，且對於此些例示性實施例的修改，以及其它例示性實施例應包含在後附申請專利範圍的精神及其同等物中。
    10．．．遮罩
    12．．．透明區域
    14．．．阻隔區域
    100．．．基板
    110．．．第一電極
    120．．．第一有機層
    122、122a．．．第一有機層圖樣
    124、124a．．．第二有機層圖樣
    125．．．電洞注入層
    125a．．．第一電洞注入層圖樣
    125b．．．第二電洞注入層圖樣
    127．．．電洞傳輸層
    127a．．．第一電洞傳輸層圖樣
    127b．．．第二電洞傳輸層圖樣
    130．．．初始像素定義層
    132．．．開口
    135．．．像素定義層
    140．．．發射層
    140R．．．紅色發射層
    140G．．．綠色發射層
    140B．．．藍色發射層
    150、155．．．第二有機層
    160．．．第二電極
    200．．．下基板
    210．．．緩衝層
    211．．．源極區
    213．．．通道區
    215．．．汲極區
    220．．．半導體圖樣
    230．．．閘極絕緣層
    240．．．閘極電極
    241．．．源極電極
    245．．．汲極電極
    250．．．第一絕緣中介層
    260．．．第二絕緣中介層
    I、II及III．．．像素區域
    100．．．基板
    110．．．第一電極
    120．．．第一有機層
    权利要求:
    Claims (22)
    [1] 一種形成有機發光結構之方法，其包含下列步驟：形成彼此間隔之複數個第一電極於一下基板上；形成覆蓋該複數個第一電極之一第一有機層於該下基板上；形成一初始像素定義層於該第一有機層上，該初始像素定義層包含一感光性材料；選擇性地將該初始像素定義層曝光因而使該初始像素定義層與於該初始像素定義層下之該第一有機層之一部分分別地轉變為一像素定義層與一第一有機層圖樣；形成一發射層於藉由該像素定義層所暴露之該第一有機層上；形成一第二有機層於該發射層上；以及形成一第二電極於該第二有機層上。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一有機層除了該第一有機層圖樣以外之一剩餘部分係定義為一第二有機層圖樣；且其中該第一有機層圖樣具有低於該第二有機層圖樣之電洞傳輸能力或電洞注入能力。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該初始像素定義層更包含一光起始劑。
    [4] 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該第一有機層圖樣係藉由自該光起始劑產生且擴散至該第一有機層之一活性物種所形成。
    [5] 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該第一有機層圖樣包含藉由該活性物種所交聯或聚合之一聚合物。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該初始像素定義層之該感光性材料係固化或硬化以形成該像素定義層；且其中該像素定義層具有低於該初始像素定義層、該第一有機層、該發射層及該第二有機層之表面能量。
    [7] 一種形成有機發光結構之方法，其包含下列步驟：形成彼此間隔之複數個第一電極於一下基板上；形成覆蓋該複數個第一電極之一電洞傳輸層於該下基板上；形成一初始像素定義層於該電洞傳輸層上，該初始像素定義層包含一感光性材料；選擇性地將該初始像素定義層曝光因而使該初始像素定義層與於該初始像素定義層下之該電洞傳輸層之一部分分別地轉變為一像素定義層與一第一電洞傳輸層圖樣；形成一發射層於藉由該像素定義層所暴露之該電洞傳輸層上；形成一電子傳輸層於該發射層上；以及形成一第二電極於該電子傳輸層上。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該電洞傳輸層除了該第一電洞傳輸層圖樣以外之一剩餘部分係定義為一第二電洞傳輸層圖樣；且其中該第一電洞傳輸層圖樣具有低於該第二電洞傳輸層圖樣之電洞傳輸能力與導電性。
    [9] 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該初始像素定義層與該電洞傳輸層之至少其中之一包含一光起始劑。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該電洞傳輸層包含一電洞傳輸材料與一感光性單體；且其中該第一電洞傳輸層圖樣包含藉由該感光性單體之一交聯反應或該感光性單體之一聚合反應所產生之一聚合物，該交聯反應或該聚合反應係藉由自該光起始劑所產生之一活性物種而引發。
    [11] 如申請專利範圍第9項所述之方法，更包含於形成該電洞傳輸層之前形成一電洞注入層之步驟；其中該第一電洞傳輸層圖樣下之該電洞注入層之一部分係轉變為一第一電洞注入層圖樣。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該電洞注入層包含一電洞注入材料與一感光性單體；且其中該第一電洞注入層圖樣包含藉由該感光性單體之一交聯反應或該感光性單體之一聚合反應所產生之一聚合物，該交聯反應或該聚合反應係藉由該光起始劑所產生之一活性物種而引發。
    [13] 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該電洞注入層除了該第一電洞注入層圖樣以外之一剩餘部分係定義為一第二電洞注入層圖樣；且其中該第一電洞注入層圖樣具有低於該第二電洞注入層圖樣之電洞注入能力或導電性。
    [14] 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該電洞注入層包含一電洞注入材料與一光起始劑；且其中該第一電洞注入層圖樣包含藉由該光起始劑所產生之一活性物種。
    [15] 一種製造有機發光顯示裝置之方法，包含下列步驟：形成一下結構於一下基板上，該下結構包含一開關裝置及一絕緣層；形成電性連接至位於該下結構上之該開關裝置之一第一電極；形成覆蓋該第一電極之一第一有機層於該下結構上；形成一初始像素定義層於該第一有機層上，該初始像素定義層包含一感光性材料；選擇性地將該初始像素定義層曝光因而使該初始像素定義層與位於該初始像素定義層下之該第一有機層的一部分分別地轉變為一像素定義層與一第一有機層圖樣；形成一發射層於藉由該像素定義層所暴露之該第一有機層上；形成一第二有機層於該發射層上；以及形成一第二電極於該第二有機層上。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該初始像素定義層與該第一有機層之至少其中之一包含一光起始劑。
    [17] 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該第一有機層包含一電洞傳輸材料與一感光性單體；且其中該第一有機層圖樣包含藉由該感光性單體之一交聯反應或該感光性單體之一聚合反應所產生之一聚合物，該交聯反應與該聚合反應係藉由該光起始劑所產生之一活性物種而引發。
    [18] 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第一有機層除了該第一有機層圖樣以外之一剩餘部分係定義為一第二有機層圖樣；且其中該第一有機層圖樣具有低於該第二有機層圖樣之電洞傳輸能力或導電性。
    [19] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二有機層包含一電子傳輸層；且其中該電子傳輸層係形成於該發射層與該像素定義層之一側壁上，且該電子傳輸層係不形成於該像素定義層之一頂部表面上。
    [20] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該第二有機層包含一電子傳輸層；且其中該電子傳輸層覆蓋該像素定義層與該發射層。
    [21] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該開關裝置包含一薄膜電晶體及一氧化半導體裝置。
    [22] 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該初始像素定義層之該感光性材料係固化或硬化以形成該像素定義層；且該像素定義層具有低於該初始像素定義層、該第一有機層、該發射層及該第二有機層之表面能量。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI640091B|2018-11-01|形成有機發光結構之方法及製造有機發光顯示裝置之方法
    US10115776B2|2018-10-30|Organic light emitting display devices
    EP2535956B1|2017-10-11|Organic Light Emitting Structures, Methods of Forming Organic Light Emitting Structures, Organic Light Emitting Display Devices and Methods of Manufacturing Organic Light Emitting Display Devices
    CN105870146B|2021-04-20|透明显示基板、透明显示设备和制造透明显示设备的方法
    US9711723B2|2017-07-18|Display and method of manufacturing the same, unit, transfer printing method, organic electroluminescence unit and method of manufacturing the same, and electronic apparatus
    US8278818B2|2012-10-02|Electroluminescent display device and method of fabricating the same
    US7645478B2|2010-01-12|Methods of making displays
    CN1708194B|2010-05-05|电致发光显示器件及其制造方法
    JP2006023683A|2006-01-26|マイクロレンズの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
    JP2008270731A|2008-11-06|有機ｅｌ素子およびそれを備えた表示装置
    US20170236892A1|2017-08-17|Display substrates, methods of manufacturing the same and display devices including the same
    TWI550930B|2016-09-21|有機發光結構、形成有機發光結構之方法、有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
    JPWO2004045253A1|2006-03-16|有機発光素子、有機発光素子の製造方法、画像形成装置、及び表示装置
    JP2010276829A|2010-12-09|表示装置
    KR102108174B1|2020-05-11|유기 발광 구조물의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    TWI640091B|2018-11-01|
    KR20130046662A|2013-05-08|
    US9166186B2|2015-10-20|
    KR101854133B1|2018-06-15|
    CN103094491B|2017-10-24|
    CN103094491A|2013-05-08|
    US20130109117A1|2013-05-02|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    US10461139B2|2016-11-10|2019-10-29|Int Tech Co., Ltd.|Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof|
    TWI677122B|2017-09-05|2019-11-11|創王光電股份有限公司|發光元件及其製造方法|
    US10811636B2|2016-11-10|2020-10-20|Int Tech Co., Ltd.|Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof|US6852997B2|2001-10-30|2005-02-08|Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.|Light emitting device|
    JP4092261B2|2002-08-02|2008-05-28|三星エスディアイ株式会社|基板の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法|
    KR101061882B1|2002-09-11|2011-09-02|가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼|발광장치 및 그의 제조방법|
    KR100521272B1|2002-12-20|2005-10-12|삼성에스디아이 주식회사|휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치|
    KR100615211B1|2004-02-26|2006-08-25|삼성에스디아이 주식회사|유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법|
    JP4752341B2|2005-06-14|2011-08-17|セイコーエプソン株式会社|発光装置および電子機器|
    JP2008098583A|2006-10-16|2008-04-24|Dainippon Printing Co Ltd|有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法|
    KR20080060710A|2006-12-27|2008-07-02|삼성전자주식회사|유기전계발광소자의 제조방법|
    TWI402918B|2007-11-28|2013-07-21|Au Optronics Corp|光罩及薄膜電晶體基板之製造方法|
    JP2010034143A|2008-07-25|2010-02-12|Sharp Corp|有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法|
    KR101073561B1|2009-02-05|2011-10-17|삼성모바일디스플레이주식회사|유기전계발광소자 및 그의 제조 방법|
    TWI387391B|2009-03-04|2013-02-21|Chung Shan Inst Of Science|有機發光元件之製造方法|
    JP2011060518A|2009-09-08|2011-03-24|Dainippon Printing Co Ltd|有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び発光表示装置|
    KR101073559B1|2009-10-13|2011-10-17|삼성모바일디스플레이주식회사|도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법|
    KR101084256B1|2009-12-08|2011-11-16|삼성모바일디스플레이주식회사|유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법|
    JP5982146B2|2011-06-16|2016-08-31|三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．|有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法|JP2014123628A|2012-12-20|2014-07-03|Japan Display Inc|有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法|
    US9444050B2|2013-01-17|2016-09-13|Kateeva, Inc.|High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related method|
    US9614191B2|2013-01-17|2017-04-04|Kateeva, Inc.|High resolution organic light-emitting diode devices, displays, and related methods|
    US9818765B2|2013-08-26|2017-11-14|Apple Inc.|Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors|
    CN103928497B|2014-04-01|2016-07-13|京东方科技集团股份有限公司|Oled显示器件及其制作方法、显示装置|
    KR102242078B1|2014-08-05|2021-04-21|삼성디스플레이 주식회사|유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법|
    KR102352283B1|2014-11-03|2022-01-18|삼성디스플레이 주식회사|유기발광 디스플레이 장치|
    US9818344B2|2015-12-04|2017-11-14|Apple Inc.|Display with light-emitting diodes|
    KR20170113194A|2016-03-25|2017-10-12|코오롱인더스트리 주식회사|유기 태양전지 및 그 제조 방법|
    US10193098B2|2016-11-10|2019-01-29|Int Tech Co., Ltd.|Light emitting device manufacturing method and apparatus thereof|
    CN107742676B|2017-09-12|2019-04-30|上海天马有机发光显示技术有限公司|一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置|
    KR20190074545A|2017-12-20|2019-06-28|엘지디스플레이 주식회사|표시장치|
    WO2021064958A1|2019-10-03|2021-04-08|シャープ株式会社|表示装置の製造方法および表示装置|
    CN111029473A|2019-11-12|2020-04-17|深圳市华星光电半导体显示技术有限公司|一种显示面板、制程方法及显示装置|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    ??10-2011-0111185||2011-10-28||
    KR1020110111185A|KR101854133B1|2011-10-28|2011-10-28|유기 발광 구조물의 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법|
    [返回顶部]